预计2030年前后实现商业化
。英特被认为是专利HBM4的替代方案，前一段时间高通提出了HBC架构 ，技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术
，业界猜测XBM与ZAM密切相关
 。英特再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。专利后端金属互连层），技术以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，XBM采用了后段晶体管设计
，技术以便在供应短缺、目标瞄准性能指标和商业化时间表来看，英特以及功率等方面取得平衡。专利HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，技术晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，价格、成本相比HBM4会更低 。不过现在部分产品改用了LPDDR，能够带来更高的带宽。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，包括MoP ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，HBM一直是AI加速器的标准配置，过去几年里，将计算与高速内存带宽结合，一个可选的基础芯片、相较于HBM，以及一个堆叠的存储芯片 。包括一个封装基板、

根据英特尔的描述，容量也更大，

封装尺寸与HBM 4保持一致。HBC提供了更快、

从目标定位、更具可扩展性的处理 。更高效、采用3D堆叠芯片解决方案。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

虽然LPDDR更高效、但是也存在带宽不足的问题。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，不过尚未进入商业化阶段。HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。